Historische Rechentechnik - Speichergenerationen
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Speichergenerationen

1953: Diodensteckeinheit und IBM 650

Funktionsweise Diode

Halbleiter in Sperrrichtung
 
Legt man die Spannung so an, dass der negative Pol am p-Halbleitermaterial anliegt und der positive Pol am n-Halbleitematerial, so bewegen sich die Atome durch Anziehung jeweils zu den andersgeladenen Polen und lassen die Sperrschicht zwischen den Materialien wachsen, somit gibt es keine freibeweglichen Ladungen. Fazit: Es fließt kein Strom.

Halbleiter in Leitrichtung
 
Werden die Anschlüsse genau anders gepolt, so bewegen sich die Atome Richtung Sperrschicht – es kommt zu einem Elektronenaustausch. Fazit: Es fließt Strom.