Historische Rechentechnik - Speichergenerationen
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Speichergenerationen

1953: Diodensteckeinheit und IBM 650

Funktionsweise Diode

Halbleiter in Sperrrichtung

Legt man die Spannung so an, dass der negative Pol am „positiv geladenen“ Halbleitermaterial anliegt und der positive Pol am „negativ geladenen“ Halbleiter-material, so bewegen sich die Atome durch Anziehung jeweils zu den andersgeladenen Polen und lassen die Sperrschicht zwischen den Materialien wachsen. Fazit: Es fließt kein Strom.

Halbleiter in Leitrichtung

Werden die Pole genau anders gepolt, so werden die Atome durch Abstoßung zur Sperrschicht geschoben – es kommt zu einem Elektronenaustausch. Fazit: Es fließt Strom.